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IXTK 150N15P
IXTQ 150N15P
250
225
200
175
Fig. 7. Input Adm ittance
110
100
90
80
Fig. 8. Transconductance
150
125
100
70
60
50
40
T J = -40 o C
25 o C
150 o C
75
50
25
0
T J = 150 o C
25 o C
-40 o C
30
20
10
0
4
4.5
5
5.5
6
6.5
7
7.5
8
8.5
0
25
50
75
100 125 150 175 200 225 250
350
V G S - Volts
Fig. 9. Source Current vs.
Source-To-Drain Voltage
10
I D - Amperes
Fig. 10. Gate Charge
300
250
200
150
9
8
7
6
5
4
V DS = 75V
I D = 75A
I G = 10mA
100
50
0
T J = 150 o C
T J = 25 o C
3
2
1
0
0.4
0.6
0.8 1
V S D - Volts
1.2
1.4
1.6
0
20
40
60 80 100 120 140 160 180 200
Q G - nanoCoulombs
100,000
Fig. 11. Capacitance
1000
Fig. 12. Forw ard-Bias
Safe Operating Area
10,000
f = 1MHz
C iss
R DS(on) Limit
25μs
T J = 175 o C
T C = 25 o C
1,000
C oss
C rss
100
10ms
1ms
100μs
DC
100
10
0
5
10
15 20 25
V DS - Volts
30
35
40
10
100
V D S - Volts
1000
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IXTK170P10P 功能描述:MOSFET -170.0 Amps -100V 0.012 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
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IXTK180N15P 功能描述:MOSFET 180 Amps 150V 0.01 Ohm Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
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